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#我在头条搞创作第二期#我曾几次发文写芯片方面的文章，友友们说太专业了，难懂。为解开这个结，我先说说芯片生产过程，简单说就是设计与制造两大步骤，制造又包括有八个环节：晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉淀、互联、测试、封装。晶圆就是制作芯片的圆形晶材料，硅基的由硅制成，碳基的就是石墨烯，把它制成6英寸或8英寸或12英寸的单晶圆，通过氧化、光刻、刻蚀后制成芯片，一个晶圆可以做出几百个芯片，其中有些是好的，有些是不合格的，从中选出优良的后再通电检测、封装就成了正式的商业产品——芯片。每一个环节又有若干个工艺组成，这中间都饱含着科技人员的一份血与泪，需要他们一项一项地研究解决。

在软件设计上，我国处于国际领先地位，华为海思等芯片企业已设计出3nm工艺的芯片。

在制造上可生产14nm的光刻机，并采取华为的叠加技术，可生产近7nm的芯片，与台积电生产5nm芯片还是有差距。生产14nm芯片就能满足我国70%的芯片需求，生产7nm芯片就能满足我国90%的芯片需求。至于3nm芯片的用量很少，台积电也推迟了量产，1nm芯片则更少之又少，而且也是硅基芯片的天花板了，再发展，就只能改变材料，采用碳基芯片了。我国在碳基芯片上也已处于世界领先位置，即将量产。芯片再进一步，就是光芯片、量子芯片了，这方面我国都有研究，并取得了不错的效果，但量子芯片离量产还有较长的路要走。

在制作上，我国的缺陷是高端光刻机，就是不能自己生产7nm工艺及以上的光刻机。

我国生产的刻蚀机是世界先进的，可用于5nm工艺，台积电也在使用我们生产的5nm工艺的刻蚀机。

3nm工艺的封测也已由利扬公司突破完成，也是世界最先进的。

总之，我国以最快的速度完成了芯片的赶超。硅基芯片自给率达到了90%，下一代的碳基芯片也即将量产。

碳基芯片量产的那天，就是我国站上世界芯片制造制高点的那一天。

这应该是我国芯片行业的大喜报。

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